作者：连于慧

　　继海力士(Hynix)66纳米工艺出现问题，近期三星电子(Samsung Electronics)亦传出68纳米工艺DDR2被客户退货，受影响数量可能高达8，000万颗(以1Gb容量换算)，使得下游客户都相当担心，若这些瑕疵品最后处理方式是转销往现货市场，恐让2008年疲弱不堪的现货价继续受到压抑，不过，合约市场反倒是受惠，受此事件影响，整个合约市场仍呈现小幅吃紧状态，合约价亦相当稳健。

　　2008年内存市场表现乏善可陈，上游大厂却频出纰漏，4月初海力士66纳米工艺良率不顺，导致1Gb容量DDR2晶圆报废，5月海力士中国无锡厂传出停电逾10小时意外，影响DDR2产能，这次出纰漏的是三星，68纳米工艺DDR2被PC OEM客户退货，受影响数量可能高达8，000万颗(以1Gb容量换算)，市场对此消息均相当震惊。

　　下游客户表示，目前最担心的是三星要如何处理这批退货，至今仍未有明确方案出炉，万一最后是将这批瑕疵品，以低价方式转销往现货市场，对现货市场冲击不小，大家对于现货价格后市走势相当忧心。

　　内存业者认为，合约市场对于测试质量要求相当高，因此，三星这批瑕疵品即使回收后再筛选转销，亦很难再用在PC OEM市场，究竟三星如何处理这批货，大家都相当担心现货市场沦为垃圾场，进一步压抑市场价格。

　　内存业者表示，2008年以来合约和现货价格背离情况相当明显，现货市场其实是持续萎缩，过去现货市场还能占全球产能约30％，现在可能只剩10~20％，如此艰巨的生存环境，使得内存模块厂在这一波景气轮替中，淘汰赛显得更为激烈。

　　至于现货市场萎缩主要原因，内存业者认为，首先是笔记本电脑(NB)逐渐取代桌上型计算机(DT)趋势，让消费者对于在零售市场升级DRAM模块需求锐减，其次是DRAM工艺微缩，技术难度门坎攀升，工艺出问题机率越来越大，这类瑕疵品几乎过不了PC大厂测试标准，当瑕疵品流入现货市场，亦将冲击价格走势。

　　以2008年来看，合约市场吃紧情况几乎可确立，在质量要求越来越高下，真正可以打成模块出货给PC厂的颗粒有限，因此，全球DRAM厂没有1家愿意减产，合约价仍是缓步攀升。然下游客户也指出，若合约和现货价背离过大，PC大厂不会一直当冤大头，只买价格较高的合约价，而其中衍生出来的商机，便是让模块市场逐渐跨足PC厂生意，来接PC厂DRAM模块订单，直接与DRAM大厂抢生意，最后形成适者生存、不适者淘汰局面。

上一篇： 违法风波再起 商户卷80万元内存跑路
下一篇： 磁阻式随机存储器将挑战闪存