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三星大跃进:30nm 64G闪存芯片09年上市
http://diy.21tx.com 2007年10月24日 IT168.com

  闪存要实现G级存储了,三星近日宣布他们已经开发除了30nm的闪存芯片,目前能够提供64G的存储能力,未来128G的优盘不是梦。

  三星计划在2009年将这款产品推向市场,而在今年四月,三星的51nm NAND Flash的8Gb(SLC)和16 Gb MLC容量版本已经量产。

30nm闪存芯片晶圆
64G闪存封装

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