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作者：中关村在线 王胤韬

两大优势DDR3内存模组技术革新

　　●  频率和功耗 DDR3内存大步前进

　　DDR3替代DDR2内存的历史进程已经开始。这种仍然以数据预读取技术为进步和新的内存的核心优势可以简单归为两点：更高的频率和更低的功耗！当然与此同时，DDR3也将需要继续平衡延迟上升的带来的弊端。

　　频率：和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。DDR3内存入门级产品比DDR2能达到的最高频率还高，并且理论上有后者最高频率2倍以上的上升空间。

　　功耗：DDR3 DRAM芯片内置温度感应器，支持更高级的功耗管理，比如根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，配合重置功能和1.5V的低操作电压让DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。在SO-DIMM内存模组上，DDR3-800仅是DDR2-800功耗的72%，即使内存功耗在系统功耗中所占比率不高，但这样的进步仍非常具有积极意义。

DDR3能加速3D游戏么？

　　●  谁能受益？3D游戏试试看

　　频率和功耗都虽然都是内存的重要性能评价指标，然而这些都不是玩家们直接关注的方面，对于一个典型的DIY高端用户而言，DDR3能够对DDR2形成真正的性能优势才是关键。

　　以3D游戏应用而言，DDR3内存能通过两种模式带来收益，一是CPU  FSB不变前提的单纯内存带宽提升；二是通过芯片组配合超频CPU或使用高FSB的CPU，同时提升内存带宽和FSB频率。以往测试的经验证明，这两种方式都能够加速3D游戏。

GeIL DDR3-1066 512MB*2 内存模组套装

　　本文就将对DDR3内存模组加速3D游戏的命题通过具体测试加以验证，测试产品来自金邦科技（GeIL），为一组双通道套装的DDR3-1066 512MB内存模组。

　　其中我们无法回避的是，DDR2的总体延迟比DDR3有所提高。DDR2的CL范围一般在3～5之间，而DDR3则在6～10之间，附加延迟（AL）写入延迟（CWD）的部分也较DDR2劣化，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，DDR3能否用更高的频率实现频率和时序的一种性能提升均衡状态是本文测试的重点。

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