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每秒9.6GB! 宇瞻推1.2GHz DDR2内存
http://diy.21tx.com 2007年05月30日 天极网 文志磊

极网5月29日消息 宇瞻科技将于2007 Computex (台北国际电脑展,6月5日至9日)期间发表最新SAFD/SRFD工业用Flash系列产品与内存模组,其中包括128GB固态硬盘,DDR2 1200 plus内存,以及最新的DDR3内存。

  在最新工业用Flash系列产品系列中,宇瞻将发表业界首先且唯一使用单一控制芯片开发的高速SATA固态硬盘,其连续存取速度最高达每秒100 MB,容量可达128 GB,与目前市面上连续存取速度约50~60MB/sec的SATA接口的SSD相比,足足快了1.5倍之多。

  在内存模组方面,宇瞻特别推出工作频率达1.2 GHz的DDR2 1200 plus内存,提供512 MB与1 GB版本,传输带宽达到每秒9.6 GB,与主流DDR2 800的每秒6.4 GB相比提升了50%,并支持EPP(Enhanced Performance Profiles)标准,专为NVIDIA nForce 590/680系列MCP量身设计。

  另外,宇瞻也将推出新一代DDR3内存模组,与目前DDR2标准最高频率800 MHz相比,DDR3有效突破瓶颈,最低从800 MHz起跳,最高可支持到1.6 GHz的速度,而独特的温度自刷新 (ASR,Automatic Self-Refresh)及局部自刷新(RASR,Partial Array Self-Refresh)两项技术,将降低电脑操作的电能消耗,DDR3提供更优异的数据带宽、更出色的功耗表现,并支持英特尔最新的P35、G33平台。

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