目前“3D”芯片技术已经成为PC硬件的一大亮点，IBM的堆叠式3D处理器芯片技术“穿透硅通道”(TSV)将很快实现商用，而三星也将3D技术用在了DRAM领域。

　　三星的这种“晶圆级堆叠封装”(WSP)内存芯片由4个512Mb DDR2芯片组成，总容量2Gb，因此如果用来生产DDR2 DIMM内存条，就可以得到4GB的容量——双面、16颗芯片，这种新技术将使得内存的容量非常容易提升。

　　三星的WSP技术也是将多块芯片堆叠在一起，然后在硅片上钻出微小的孔洞，并以铜材料填充。现有的一般性多芯片堆叠技术通常需要线路来连接多个芯片，在堆叠芯片外部也有导线相连，而TSV就不用这些额外的线路，因而封装厚度更薄、体积更小，印刷电路板的制作也更简单。

　　WSP DRAM内存芯片中的TSV周围环绕着铝衬垫，目的是避免重分布层导致的性能下降效应，这种独特的新技术不但可以给未来的DDR3内存带来1.6Gb/s的更高速度，还能有效降低内存的功耗。

4G WSP内存

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