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矽统DRAM模块首创CDFN封装 产品效益扶摇直上
http://diy.21tx.com 2006年08月02日 天极网

  台北,矽统科技(SiS)近日表示,有别于DRAM产业普遍采用TSOP或BGA封装方式,矽统科技成功开发速度与性能并进的CDFN封装方式,备受客户好评。

  目前个性化、轻巧型电子产品采用先进CSP(Chip Scale Package)封装方式蔚为风尚。此具有减小芯片封装后尺寸的特点,亦即裸芯片尺寸等同于封装后尺寸,且封装后的IC尺寸不超过芯片的1.2倍,与颗粒(Die)相比,也不超过其1.4倍。矽统科技采用此独步全球的CDFN(Chip Scale Dual Fine-pitch No-lead)封装方式,即撷取考虑此特性,成为跨足内存模块领域的竞争优势。

  CDFN封装方式不仅芯片面积与封装面积之间的比值很小,能够极大地缩短数据传输的延迟时间,满足芯片I/O管脚(pin)数不断增加的需求,更通过欧洲RoHS的规范。矽统总经理陈文熙表示,『经过精细评估这些优异的特性后,决定大刀阔斧首开先例于DDR及DDR2模块系列导入CDFN封装方式,希望以高速度、低耗能、低成本、高容量的市场区隔,满足客户的需要。』

  CDFN封装适用于管脚数少的IC,如内存模块和便携式电子产品的IC。可预知未来适应信息家电(IA)、数字电视(DTV)、电子书(E-Book)、无线网络WLAN、Gigabit Ethemet、ADSL、手机芯片、蓝芽(Bluetooth)等新兴产品发展,矽统独家研发的CDFN封装方式,也将随之蓬勃应用,相得益彰!

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