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　　在电脑的众多配件中，内存是换代相对缓慢的硬件之一。当内存开始迈向DDR2时代的时，我们并不愿意丢弃伴随许久的DDR，毕竟换代并不容易，牵一发而动全身。不过在“老爷车”上玩现在高要求的游戏，还真有点累，在无止境的容量提升之后，一些游戏玩家开始“冒险”，依靠内存超频来提升性能。其实大可不必费此周折，通过对内存参数一系列的调节优化，也会达到提升性能的目的，而这恰恰是很多玩家所忽略的。

　　除了容量与频率外，我们很少回去关心“X-X-X-X”这样一组参数，而这正是决定内存性能很重要的参数，也可以通过BIOS中适当的调节实现性能的改变。这一组参数所表示的就是内存的CL-tRCD-tRP-tRAS，其中CL(CAS Latency)为内存读写操作前列地址控制的潜伏时间，目前常见数字为“2”，随着nForce4平台的出现，CL开始增加“1.5”的设置项;tRCD(RAS-to-CAS Delay)为行寻址到列寻址延迟时间，从“2”～“5”，当然越小性能越好;tRP(RAS Precharge Time)为内存行地址控制器预充电时间，有“2”、“3”、“4”几个规格，数字越小，内存读写速度越快;tRAS(RAS Active Time)为内存行有效至预充电的最短周期，nForce系列平台已经有“1”～“15”的设置项。

　　了解了上述参数的含义后，我就要来对其进行适当调节，以提升内存的性能。我的电脑影响设置的两个主要硬件——主板芯片组并非时下最流行的nForce4，而是nForce3，和备用的Intel 865PM芯片组;内存为三星金条DDR400 256MB×2，这款内存的初始值为3-3-3-7。需要说明的是三星金条在稳定性方面比较出色，因此它并不是一款很好的超频内存，这反而对设置各项参数有所帮助。

　　主板芯片组在出厂时都是采用默认设置，并没有按照内存的参数规格设置，因此需要进入BIOS对各参数逐一设置。正确的优化设置方式是一次只降低其中一个项目的数值，然后保存退出，重新启动电脑到Windows下，利用SuperPI或SP2004等软件进行烤机运算来考察内存在优化后的稳定性与否，如果稳定，还可以继续优化降低该项目的延迟，如果不稳定，就需要改回至上一次的设定数值。当一个项目优化完毕后，再调节第二个项目进行优化，而不要一次同时修改多个延迟时序，这样一旦出现不稳定的时候，就不知道是哪个数值设置不当，不利于查找原因。

　　从图中可以看到各参数的可设置范围，我使用的三星金条DDR400 256MB默认为3-3-3-7，可在这基础上逐一向下设置。

　　对tRAS调整需要注意，并不是越低越好，要视硬件平台而定，一般推荐参数选项是“5”、“6”。由于我的nForce3主板不支持双通道，而i865芯片组支持双通道，分别搭配三星金条在调节测试中发现，当内存页面数大于或等于8时，tRAS设置长一些反而性能会更好一些!而内存页面数=物理bank数量X4(这里说的物理bank和上面提到的逻辑bank是不同的概念，物理bank相当于实际的内存条提供了多少个等效系统内存总线的带宽数量)，如果采用双通道的平台，计算内存页面数则要减一半。我用的两条单面256MB三星金条内存就是2X4=8个页面，在双通道上应用就成是4个页面了。目前市场上256MB的内存模组基本都是单物理Bank的，双面但每面4芯片的也基本上是单物理Bank的，512MB的双面模组则基本都是双物理Bank的。对于非双通道的系统来说，tRAS时序设置的长短对系统性能的影响是非常小的。

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