正所谓一叶知秋，从引领世界硅芯片开发技术前沿的Intel公司再传捷报，逻辑制程的技术上比目前在行业已经领先的90纳米更进一步达到了65纳米。这则消息意味着目前已经让人目眩的高集成度芯片方面会有两个变革，其一是未来采用65纳米制程的芯片能够用同样的一片晶圆里切割出更多的芯片，不增加晶圆产量的情况下也能获得产量的提升。而无需提升成本而产量又获得提升意味着分摊到单一产品上的成本就可以降低，消费者将能买到更高性能且价格更具吸引力的IT产品。其二是采用更高精度的制程带来的产品将改善目前IT产品的耗电量，当然也能降低发热量。

　　新型的65 纳米制程将能降低芯片对电能的需求，因为更低的耗电量能够延长譬如笔记本、PDA这类移动设备的电池使用时间，笔者的PDA正是采用Intel的400MHz处理器芯片，配用一个高达1500mAh的电池也只能带来不到8小时的持续使用时间。虽然燃料电池、高能量密度的镍氢、锂离子电池等技术让电池容量不断飙升，不过未解决设备的耗电问题之前，长续航的使用时间仍然还是个梦想。

电子显微镜下的晶体管

　　在9月21日发布的这条消息表明Intel方面已经解决65纳米的功耗问题，Intel官方称之为第二代基于65 纳米制造技术的超低功耗芯片制程，最初的65纳米技术只是解决的制造的问题，而如今解决了功耗的问题，则意味这种领先优势将会继续推动IT产业、特别是芯片业界的良性竞争。

　　Intel移动平台事业部副总裁兼总经理 邓慕理（Mooly Eden） 表示：“人们渴望拥有能最大限度延长电池使用时间的移动平台，此类产品将借我们的新型超低功耗制程得到显著增强。同时，我们将设计未来的移动平台，以充分利用这两种领先 65 纳米制程的强大优势。”降低芯片功耗的因素之一便是改进晶体管的设计，这一点对于移动设备和电控设备来说尤为重要。这些微小晶体管即使是在“关闭”状态下,也会出现的漏电现象，对于整个行业也是一个巨大挑战。Intel高级院士兼制程架构与集成部门总监Mark Bohr这样讲到：“当前某些芯片上晶体管数目已超过十亿，很明显，单个晶体管的改进能够为整台设备带来数倍的性能提升。对采用Intel超低功耗65纳米制程技术的芯片作测试表明，通过利用我们的标准制程，晶体管渗漏问题降低了大约1000倍。这就为采用此项技术的设备用户大大节省了功耗。”

　　Intel超低功耗 65纳米制程技术包括多项关键的晶体管改进，在实现低功耗的同时提供了业界领先的高性能。这些改进大大减少了三种主要的晶体管漏电：次临界渗漏、接合点渗漏以及栅氧化层泄漏。晶体管渗漏的减少直接导致了功耗的降低和电池使用时间的延长。Intel65纳米制程采用更高性能、更低功耗的晶体管、Intel第二代应变硅、八层高速铜互联层以及新型低K绝缘材料。使用该制程将使Intel当前的单片晶体管数量（使用Intel90纳米技术）再翻一番。

　　采用栅极长度仅为35纳米的新型晶体管，这将是业界体积最小、性能最高的量产CMOS晶体管。比较起来，当前所生产的最先进的晶体管应用于Intel Pentium 4处理器中，其栅极长度为50纳米。体积小、速度快的晶体管是超快速处理器的重要组成部分。此外，Intel已将其第二代高性能应变硅集成到这些65纳米制程中。应变硅可提供更高的驱动电流，从而提高晶体管的速度，而生产成本仅增加2%。

　　而剩下的唯一悬念，就是何时会将这个65纳米的阳光照射到桌面机上了。此前测试的PM已经让人惊喜不已了，等到65纳米运用到桌面的时候，世界可能也会因此而改变。

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