天极网9月6日消息 英飞凌科技今日上市两款DDR2-800规格高速内存模组，分别为256 MB (料号：HYS64T32001HU-2.5-A)与512 MB容量(料号：HYS64T64020HU-2.5-A)型号。

　　与采用堆栈式(Stack)制程的同类产品不同，英飞凌DDR2内存采用沟槽式(Trench)制程，具有低功耗及低发热量的特性，较之堆栈式制程产品，在相同的1.8V工作电压下，功耗及发热量最多能降低30%。

　　英飞凌DDR2-800高速内存模组的标准工作频率为800 MHz (400 MHz DDR)，支持新一代Intel 945/955系列芯片组，64位单通道模式下传输带宽为每秒6.4 GB (理论值)，零售价为1万2980日圆(512 MB)/6780日圆(256 MB)，分别约合人民币元。

　　关于沟槽式(Trench)制程DRAM节能技术的相关介绍，请参阅网页：http://www.infineon.jp/designlink/memory/lowpower_dram.php。（完）

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