来自DigiTimes的消息—随着27日海力士（Hynix）宣布第二季（Q2）财报小赚而不赔的佳绩，全球前5大内存厂商三星电子（Samsung）、海力士、美光（Micron）、英飞凌（Infineon）与尔必达（Elpida）Q2财报结果，呈现出营运状况两极化的差别。

　　抢得先机提早转换产能，切入NAND型闪存（Flash）市场的三星与海力士，得以安然度过DRAM价跌的关卡，Q2交出小赚的成绩单；然而美光与英飞凌却由于迟迟未能顺利进军NAND型Flash市场，再加上遭受DRAM价格大跌的冲击，蒙上大赔的阴影。

　　根据财报资料显示，全球前5大内存厂4～6月营运状况，三星半导体部门营运获利逾10亿美元，海力士净利2.33亿美元，美光净损1.28亿美元，英飞凌净损2.88亿美元，至于日本唯一内存业者尔必达则小赔，净损2,934万美元。综合美光、英飞凌与尔必达亏损之因，不外是DRAM均价跌幅过钜，又不如三星与海力士拥有NAND型Flash的缓冲，得以打消亏损。

　　路透（Reuters）引述投资机构BNP Paribas Peregrine分析师Chang Eyun-Yu指出，与美光、英飞凌惨不忍睹的亏损情况相较，三星与海力士2家内存业者持续实现获利关键，在于及早重新配置产能，在多元化产品组合策略运用下，在标准型DRAM价跌之际，尽早投资设备改换产线，以最少的投资挹注，切入高度获利的NAND型Flash生产。

　　美林证券（Merrill Lynch）报告显示，就晶圆产能而言，海力士仅屈居第二，位在三星之后，连NAND型Flash大厂日商东芝（Toshiba）亦饱受海力士产能开出的威胁。

　　就12吋厂产能而言，除三星与东芝已陆续在2005年中期导入12吋晶圆厂，以70奈米制程投产NAND型Flash，海力士目前已开始在其8吋厂采90奈米制程量产NAND型Flash。不过，亏损累累的美光已宣布，将自2005年Q3起旗下12吋厂正式加入量产NAND型Flash，且导入90奈米制程，预期将可大幅节省生产成本。

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