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三星的DDR III内存未来可能代替昂贵的DDR II内存，DDR III内存才用了0.08微米制造工艺制造，而DDR II内存则是才用了0.09微米制造工艺制造。另外，DDR III内存将工作在1.5V的电压下。
这款内存将在2006年正式上市，可能将在2009年～2010年之间占据65％以上的DDR内存市场。
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