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　　在如日中天的DDR400 主流DDR400评测之产品篇中我们详尽地为您介绍了本次参测的所有7款产品，究竟这些产品中谁是性能之王？谁是超频冠军？本篇测试实战将为您揭晓最终战果。

软硬件平台

　　下面进入测试篇，首先介绍我们测试的软硬件环境：

　　另外我们在软件测试中，每个项目都会连续进行3次，取其平均数值，以尽可能防止测试中产生的误差，影响测试结果。

　　进入测试方案介绍之前，先简单介绍一下内存延时参数，我们在测试中将会调整这些参数做各种测试，因此有必要在这里先作一个简单的介绍：

Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。

Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。

CAS Latency(CL)，内存CAS延迟时间。内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。

　　在接下来的内存测试中，我们约定x-x-x-x的格式内容为：CL-tRCD-tRP-tRAS

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