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文/阿伟 近看TwinMOS勤茂DDR500内存
一直以来，主板厂商们都在绞尽脑汁的考虑如何使系统搭配更和谐，使PC各子系统之间配合更默契。如同磁盘系统日益流行的RAID阵列一样，内存系统也在尝试寻求各种方法突破瓶颈，以跟的上处理器乃至PC整体性能的需求。双通道架构由此而生。今天，我们收到的两条DDR500内存，将凭借超高的频率为我们演示前所未有的内存性能。
图为：勤茂DDR500内存
台湾TwinMOS勤茂内存在国外享有非常不错的口碑和市场占有率，许多评测机构都是用他们的内存产品搭建测试平台。它在大陆市场推出的TwinMOS品牌内存，也是主攻发烧玩家，定位中高端市场。我们本次收到的，是来自勤茂的最新内存产品：PC4000，也就是DDR500内存条产品。
产品采用铜质散热片紧固包装，我们无法打开。与厂商沟通后得知：勤茂这条PC4000内存产品采用的是台湾著名晶原体厂商--力晶半导体公司的颗粒，也就是常见的PSC颗粒。
图为：芯片参数
DDR内存运行在DDR500(实际频率250MHz)时，理论上能为系统带来4.0GB/s的内存带宽，这也是其铭牌上PC4000的由来。我们看到其标称CL值为2.5，推荐运行电压为较高的2.8V。当然，如果你的主板没有如此高的电压值也没有关系，在DDR400下，我们尝试用标准的2.5V，系统也能顺利的运行所有测试。2.8V只有在极限的DDR500时才会用到。
高频率的关键：WLCSP封装
说到勤茂凭什么能达到DDR500的频率问题，不得不说一下勤茂内存的封装技术WLCSP。
图为：常见的几种晶元芯片封装模式
上图是我们常见的几种晶元颗粒封装模式。WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)是一种与之完全不同的封装模式。它是一种晶圆级芯片封装技术，可以让芯片面给与封装面积之比超过1:1.14，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP封装内存芯片面积的1/6。
WLCSP封装原理图
传统IC封装与WLCSP之比较：
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传统IC封装 |
WLCSP |
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晶圆先测试，切割 |
晶圆直接封装 |
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IC由封装厂封装 |
IC可在fab内封装或由封装厂封装 |
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一次一个IC封装 |
一次整片晶圆封装 |
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在socket进行Burn in |
在晶圆直接Burn in |
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电源及接地在接合结构中 |
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I/O数目无法降低 |
具有降低I/O数目的可能性 |
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所有功能设计在IC上 |
功能可设计分布在IC及构装 |
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需要较复杂的底材 |
几乎不考虑导线电感 |
可以看到：WLCSP封装模式已跳脱传统作法，不需要打线机、封模机及制具等且更不需要金属脚架与基板等材料，而它的制程更是包括前段芯圆厂的技术(涂布、曝光、显影、溅渡、蚀刻)与PCB板厂的技术(电镀、印刷、植球等)。那么由此带来的性能也是有目共睹的。其一：相同尺寸的WLCSP芯片在同样的集成电路板空间上可以支持双倍的记忆容量；其二：WLCSP存储芯片(without moulding)可以支持到800赫兹的频率，是TSOP的4倍，BGA的2倍；其三：高的导电性可比TSOP节约20%的耗电量；第四：较低的电阻可以比TSOP减少20%的热量。勤茂正是凭借如此优秀的制作工艺与封装技术，才使产品频率达到了一个前所未有的高度。 上一篇： 狂超！金邦DDR 500内存超频测试
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